Interview over werking en ontwikkeling Z-ram (2024)

Bij LostCircuits is een interview verschenen met Jeff Lewis van Innovative Silicon Inc, het bedrijf achter de ‘Z-ram’-technologie. Traditioneel wordt geheugen opgebouwd uit zes transistors (SRAM) of één transistor en één condensator (DRAM). Innovative Silicon heeft een derde variant ontwikkeld waarbij voor elke geheugencel slechts één transistor nodig is, een condensator is overbodig. Hierdoor kan een tweemaal zo hoge geheugendichtheid gehaald worden ten opzichte van DRAM. Het weglaten van de condensator wordt mogelijk gemaakt door het slim toepassen van eigenschappen van het 'silicon on insulator'-procédé.

Door het gebruik van SOI zijn transistors geïsoleerd waardoor er geen lading weg kan stromen van de transistor wanneer deze open staat. Oorspronkelijk een probleem bij de eerste SOI-ontwerpen omdat de lading die in de transistor is opgeslagen kan interfereren met andere signalen, maar ook toepasbaar om gegevens mee op te slaan. In het interview wordt dieper ingegaan op de werking en de ontwikkeling van Z-ram. We zullen ongetwijfeld in de toekomst nog meer horen over deze technologie aangezien AMD begin dit jaar al een licentie op de technologie heeft genomen.

Interview over werking en ontwikkeling Z-ram (1)

Vorig nieuwsartikel Volgend nieuwsartikel

Door Hielko van der Hoorn

Feedback • 28-03-2006 19:0918

28-03-2006 • 19:09

Bron: LostCircuits

Lees meer

Intel toont ontwikkelingen in chipdesign en procestechnologie Nieuws van 17 juni 2008

Negentien bedrijven richten SOI-consortium op Nieuws van 10 oktober 2007

Zram stap dichterbij met nieuwe licentieafnemer Hynix Nieuws van 13 augustus 2007

Tweede generatie zram haalt 400MHz Nieuws van 6 december 2006

IT-banen

Security Specialist Malware

Ministerie van Binnenlandse Zaken en Koninkrijksrelaties, 's-Gravenhage
Hoofd IT-Operaties en Infrastructuur
Solution architect

Raad van State, 's-Gravenhage

Meer vacatures

Reacties (18)

-Moderatie-faq

Wijzig sortering

Anoniem: 53425
28 maart 2006 19:48

He hoe kan dat nou, we hebben nu D-Ram en dan komt er Z-Ram, slaan we zo een heel stuk van het alfabet over.

Eagle_Erwin
@Anoniem: 53425 • 28 maart 2006 21:17

DRAM : Dynamic Ram
SRAM: Static Ram
ZRAM: Zero-Capacitor Ram

Heeft dus niets met het alfabet te maken

MeMoRy
@Eagle_Erwin • 28 maart 2006 22:36

Jullie maken allebij fouten.

Het is Z-RAM (dus met streepje) en DRAM (dus zonder)
Verder is Z-RAM een trademark en DRAM een simpele afkorting..

edit: beoordeling: -1: overbodig? Ik help ze met hun probleem!

d-snp
@Anoniem: 53425 • 28 maart 2006 20:36

puddingbuks
28 maart 2006 20:48

Het feit dat AMD heeft een licentie heeft genomen op deze technology zegt dat er toch wel potentie in zit.

We wachten met spanning af.

henklaak
28 maart 2006 22:16

Mijn kennis over ICs is behoorlijk weggezakt, maar als lading niet kan weglekken, hebben we hier dan meteen een FLASH ram gemaakt, of moet ik dat 'lekvrij" met een korreltje zout nemen, m.a.w. moet er toch gerefreshed worden?

phsdv
@henklaak • 29 maart 2006 19:29

ja, er moet inderdaad gerefreshed worden.

DarkUnreal
28 maart 2006 19:24

beetje offtopic maar,

Ik heb een hele tijd geleden (zo'n 5 jaar denk ik) gelezen, dat IBM bezig was met M-Ram. Dit zou erg veel sneller dan het geheugen van toen moeten zijn (SD). Maar om eerlijk te zijn, heb ik er nog steeds niks van gehoord, terwijl ze toen "bijna klaar" waren

Anoniem: 148045
@DarkUnreal • 28 maart 2006 19:38

Klopt hier ff linkie:
http://www.research.ibm.c...20001207_mramimages.shtml

nieuws: IBM en Infineon gaan samen werken aan MRAM

henklaak
@Anoniem: 148045 • 28 maart 2006 22:10

En uit de berichten van de laatste weken lijkt dat Infineon de moed helemaal opgegeven heeft met RAM:

twooggy
@DarkUnreal • 29 maart 2006 22:38

Er staat in dat artikel toch echt 2009 als opleverdatum. Dus hebben ze nog zo'n 3½ jaar.

PuzzleSolver
28 maart 2006 20:33

Door het gebruik van SOI zijn transistors geïsoleerd waardoor er geen lading weg kan stromen

Oftewel de condensator is een bij-effect van SOI en zit al in de transistor zelf...

Anoniem: 87964
@PuzzleSolver • 29 maart 2006 08:06

Bijna goed, de condensator zit bij DRAM vanwege de transistor niet open kon blijven staan als er geen voeding meer op zit. Daarom zat de waarde in de condensator. Deze loopt ook langzaam leeg en daarom is telkens een refresh nodig voor je geheugen. Dat de condensators "bijgeladen" worden. Deze techniek zorgt dat de transistor wel langer open kan blijven staan. Eigenlijk zijn dit FETs. Zie je ook aan de Gate. Transistoren hebben een basis en FETs een gate. FETs staan bekend om hun enorme hoge ingangsimpedantie en bijna niet weglekken. Doordat de transistor/fet zijn status kan "onthouden" wordt een condensator overbodig. En dit is niet omdat de SOI laag als condensator werkt. (Kan waarschijnlijk wel maar dan moet je aan beide kanten van de SOI laag spannings potentiaal aanbrengen en dan is maar de vraag hoelang het energie kan opslaan..

MeMoRy
@PuzzleSolver • 28 maart 2006 22:33

uhm... geen lading?... minder lading, bedoelen ze... je hebt altijd een leakage stroom

Reinstein
28 maart 2006 23:53

Uiteraard staat er op wiki al heet een, maar dat is beperkt, er staat oook niks over refresh rates, geheugen zonder refresh zou ideaal zijn.

http://en.wikipedia.org/wiki/ZRAM

Mister-T-Head
29 maart 2006 07:03

Ik heb een paar jaar terug ook van M-Ram gehoord. Het was toen een ram die Magnetisch is. Erg handig want je kon dan een deel van windows vast in de ram zetten zodat je niet hoefde te wachten voordat het opgestart was.

Ik hoor er al jaren niets meer over en nu lees ik opeens over Z-Ram. De grote vraag is of dit type ram wel uitkomt.

Anoniem: 172063
29 maart 2006 12:14

Oei, dat is een goed idee.
Volgens mij worden je opstartijden dan gedecimeerd.
Klinkt als iets waar absoluut een toekomst in zit!

wibra
@Anoniem: 172063 • 29 maart 2006 13:29

wat heeft dit met opstarttijden te maken volgens jou?

Op dit item kan niet meer gereageerd worden.

Numark komt met tweede generatie iPod-dj-console
Sun wil infrastructuur voor online games gaan verhuren